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La ley de Moore está en la UCI: hay un plan ambicioso para sacarla de ahí y ponerla de nuevo en plena forma

Jensen Huang lleva muchos años repitiéndolo hasta la extenuación: la ley de Moore ha muerto. El cofundador y director general de NVIDIA no es el único tecnólogo relevante que defiende esta visión, aunque es uno de los que lo hacen con más vehemencia. No obstante, también hay quien afirma todo lo contrario y asegura que la innovación en semiconductores está logrando sortear las dificultades para dilatar la predicción que llevó a cabo Gordon Moore en 1965. Esta es la postura oficial de Intel.

Lo que Moore percibió hace algo más de cinco décadas y media fue que el número de transistores de los circuitos integrados se duplicaría cada año, y, a la par, su coste relativo se reduciría drásticamente. Diez años más tarde enmendó su observación al incrementar el plazo de tiempo necesario para que se lleve a cabo ese desarrollo de la tecnología de integración, colocándolo en veinticuatro meses, y no en un año. Desde entonces su pronóstico se ha cumplido con bastante precisión.

Más allá de lo que defienden estas dos visiones opuestas, hay algo innegable: cada día estamos un poco más cerca de agotar las capacidades que ha puesto en nuestras manos durante décadas la tecnología del silicio. Y las empresas que están involucradas en la industria de los semiconductores lo saben mejor que nadie. Afortunadamente, no está todo perdido. El futuro es esperanzador debido a que están sobre la mesa innovaciones muy prometedoras que persiguen devolver la salud a la ley de Moore.

Los semiconductores 2D llegan al rescate

La investigación en materiales cuyas versiones bidimensionales (2D) adquieren las propiedades características de los semiconductores viene de lejos. Algunos de los elementos que han atraído la atención de muchos grupos que desarrollan su investigación en esta área son el arseneno, el antimoneno o el fosforeno, pero hay un problema: producirlos es muy difícil. Afortunadamente, las técnicas de exfoliación están mejorando constantemente, lo que con un poco de suerte permitirá obtener estos y otros materiales más allá de las paredes de los laboratorios de investigación.

Sang-Hoon Bae y sus compañeros de investigación han elaborado un conjunto de técnicas que permite producir materiales 2D a escala industrial

Precisamente un grupo de investigadores liderado por Sang-Hoon Bae, que es profesor de ingeniería mecánica en la Universidad de Washington en San Luis (Estados Unidos), ha publicado un interesantísimo artículo en Nature en el que asegura haber resuelto tres de los mayores desafíos que plantea la producción a gran escala de los materiales 2D candidatos a abrirse paso en la industria de los semiconductores. A grandes rasgos estos retos son el control preciso de la puesta a punto capa a capa del material 2D, la necesidad de preservar una absoluta uniformidad de cada capa, y, por último, la ejecución minuciosa del número de capas necesario en la producción de las obleas.

Sang-Hoon Bae y sus compañeros de investigación han elaborado un conjunto de técnicas que, de acuerdo con su artículo, permite producir materiales 2D a escala industrial. Esto es muy importante. De hecho, si se confirma que su propuesta realmente puede utilizarse en la producción a gran escala de este tipo de materiales semiconductores la industria de los chips podría recibir el espaldarazo que persigue desde hace muchos años. Curiosamente, Intel es una de las empresas que más recursos está invirtiendo en esta área de investigación.

La compañía que actualmente dirige Pat Gelsinger lleva muchos años enfrascada en la puesta a punto de transistores 2D, así como en el refinamiento del empaquetado de sus circuitos integrados y en el diseño de sistemas flexibles de interconexión de los chiplets con un propósito: emplear estas tecnologías lo antes posible en la fabricación de sus próximos microprocesadores. Y parece que va por buen camino. Esto es, al menos, lo que nos indica su estrategia actual, que es extraordinariamente ambiciosa.

Intel prevé tener microprocesadores con un millón de millones de transistores en 2030

A finales del pasado mes de octubre Gelsinger aseguró durante la entrevista que concedió a The Wall Street Journal que Intel planea tener los mejores transistores y la tecnología de integración más avanzada del mundo en 2025. Pero esto no es todo. También prevé tener chips con un millón de millones de transistores en 2030. Y lograrlo requiere, entre otras cosas, desarrollar la tecnología de los materiales semiconductores bidimensionales que están llamados a rellenar las grietas que ya están empezando a fracturar la tecnología del silicio. Hasta entonces queda mucho por hacer, pero el panorama es esperanzador.

Imagen de portada: Intel

Más información: Nature

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